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首頁>>北京瑞科中儀科技有限公司>>產品展示>>原子層沉積

  • ALD 原子層沉積 參考價：面議

    ALD 原子層沉積原理通過在工藝循環周期內分步向真空腔內添加前驅體、實現對膜層厚度的精確控制。區別于普通CVD或PECVD原理，ALD可沉積超薄的、無針孔和顆粒...
    型號： 廠商性質：經銷商所在地：北京市 對比
    ALD原子層沉積
    2024/3/18 11:02:431750
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